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反射光譜薄膜測厚儀
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MProbe Vis薄膜測厚儀
參考價格:15-20萬
MProbe Vis薄膜測厚儀大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)
大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被MProbe Vis測厚儀測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)。
測量范圍: 15 nm -50um
波長范圍: 400 nm -1100 nm
MProbe Vis薄膜測厚儀適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。
測量指標(biāo):薄膜厚度,光學(xué)常數(shù)
界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測量和分析。
MProbe Vis薄膜測厚儀實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態(tài)測量和產(chǎn)線批量處理。
(MProble NIR薄膜測厚儀系統(tǒng)示)
性能參數(shù):
精度 | <0.01nm or 0.01% |
準(zhǔn)確度 | <0.2% or 1 nm |
穩(wěn)定性 | <0.02nm or 0.03% |
光斑直徑 | 標(biāo)準(zhǔn)3mm, 可以小至3um |
樣品大小 | 大于1 mm |
案例1,300nm二氧化硅薄膜的測量:
硅晶圓反射率,測量時間10ms:
案例2,測量500nm氮化鋁,測量參數(shù):厚度和表面粗糙度
技術(shù)參數(shù):
測量范圍 | 15nm-50um |
精度 | <0.01nm or 0.01% |
準(zhǔn)確度 | <0.2% or 1 nm |
穩(wěn)定性 | <0.02nm or 0.03% |
波長范圍 | 400-1100nm |
光譜儀和檢測器 | F4光譜儀,3600像素CCD檢測器,16位深 |
光譜分辨率 | 小于2nm(標(biāo)準(zhǔn)),可選1nm |
光源 | 5W鹵鎢燈,色溫2800,壽命:10000小時 |
反射探頭 | 光導(dǎo)光纖(7個纖芯),纖芯400um |
可選硬件模塊
FLVis
消色差聚焦透鏡,工作距離:35mm,光斑直徑:小于0.5mm
FDHolder
面向下面樣品適配器,用于透明樣品
TO
透射率測量模塊
TO Switch
2個通道轉(zhuǎn)換器,用于反射率和透射率測量
20W
20W鹵鎢燈(色溫3100,壽命2000小時)
TR
5V TTL外觸發(fā)模塊,1個外部in觸發(fā),啟動測量,6路out觸發(fā)
LP500
長通濾光片,過濾500nm以下光譜,用于光刻膠,其他波長可選
可選軟件模塊 | |
MOD | 遠(yuǎn)程控制(TCP),基于Modbus協(xié)議 |
CM | 動態(tài)測量模塊,設(shè)定時間間隔,用于在線測量 |
我們樂意為您進(jìn)行免費樣品測量,歡迎來電咨詢。
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MProbe UVVisSR薄膜測厚儀
該機(jī)大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺) 測量范圍: 1 nm -50um 波長范圍: 200 nm -1000 nm MProbe UVVisSR薄膜測厚儀適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。 測量指標(biāo):薄膜厚度,光學(xué)常數(shù) 界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測量和分析。 實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態(tài)測量和產(chǎn)線批量處理。 (MProble NIR薄膜測厚儀系統(tǒng)示 ) 系統(tǒng)性能參數(shù): 精度 <0.01nm or 0.01% 準(zhǔn)確度 <0.2%or 1 nm 穩(wěn)定性 <0.02nmor 0.03% 光斑直徑 標(biāo)準(zhǔn)3mm, 可以小至3um 樣品大小 大于1 mm 案例1,73nm SiN氮化硅薄膜的測量 硅晶圓反射率,測量時間10ms 使用Tauc-Lorentz模型,測量SiN薄膜的n和k值 技術(shù)參數(shù): 測量范圍 100nm-2...
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MProbe RT薄膜測厚儀
該機(jī)大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導(dǎo)體(硅,單晶硅,多晶硅),半導(dǎo)體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺) 測量范圍: 1 nm -20um(UVVis),1nm-150um(UVVisNIR) 波長范圍: 200 nm -1000 nm(UVVis) 200nm-1700nm(UVVisNIR) 適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等; 藍(lán)寶石基底上1025nm厚度的氧化物薄膜的反射率和透射率,波長范圍(200-1700nm): 系統(tǒng)性能參數(shù): 精度 <0.1nm or 0.01% 準(zhǔn)確度 <0.2%or 1 nm 穩(wěn)定性 <0.05nmor 0.03% 光斑直徑 標(biāo)準(zhǔn)2mm, 可以小至3um 樣品大小 大于1 mm 測量指標(biāo):薄膜厚度,光學(xué)常數(shù) 界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測量和分析。 實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態(tài)測量和產(chǎn)線批量處理。 技術(shù)參數(shù): 測量范圍 ...
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MProbe NIR薄膜測厚儀
采用近紅外光譜(NIR)的測厚儀可以用于測量一些可見光和紫外光無法使用的應(yīng)用領(lǐng)域,比如在可見光范圍內(nèi)有吸收的太陽能薄膜(CIGS, CdTe)可以快速的測量。 測量范圍: 100 nm -200um 波長范圍: 900 nm -2500 nm 適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等 測量指標(biāo):薄膜厚度,光學(xué)常數(shù) 界面友好強(qiáng)大: 一鍵式測量和分析。 實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態(tài)測量和產(chǎn)線批量處理。 (MProble NIR薄膜測厚儀系統(tǒng)示) 系統(tǒng)性能參數(shù): 精度 <0.01nm or 0.01% 準(zhǔn)確度 <0.2%or 1 nm 穩(wěn)定性 <0.02nmor 0.03% 光斑直徑 標(biāo)準(zhǔn)3mm, 可以小至3um 樣品大小 大于1 mm 技術(shù)參數(shù): 測量范圍 100nm-200um 精度 <0.01nmor 0.01% 準(zhǔn)確度 <0.2%or 1 nm 穩(wěn)定性 <0.02nmor 0.03% 波長范圍 NIR: 900-1700 NIRX: 900-2200 NIRX2:1550-2500nm ...
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MAI顯微鏡適配器
MAI顯微鏡適配器,可與任何一臺正置顯微聯(lián)用,將MProble系列測厚儀加到顯微鏡上,用于微小樣品的厚度測量,包含一個200萬像素CCD,可對測量區(qū)域進(jìn)行成像。 尺寸 100mm x 40mm x 30mm 重量 0.5kg 顯微鏡接口 C型接口 相機(jī) 200萬像素 通訊 USB連接 電源 USB供電 (MAI顯微鏡適配器示意圖) (測量區(qū)域拍照,十字線中點為測量點) 我們樂意為您進(jìn)行免費樣品測量,歡迎來電咨詢。 美國Semiconsoft中國總代理 上海全耀儀器設(shè)備有限公司 全國咨詢熱線:400-992-5592 Email:info@filmgauge.com.cn 上海全耀代理產(chǎn)品:膜厚測量儀,薄膜測試儀,膜厚儀,厚度測量儀以及MProbe MSP顯微薄膜測試儀等,歡迎廣大用戶前來訂購。